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製品情報
絶縁層形成用ガラス粉末
電子材料用ガラス粉末
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- 絶縁層形成基板 拡大写真
ホーロー鋼板、銅などの金属基板上の絶縁層形成用、アルミナ系セラミックス基板のクロスオーバーコート用など、絶縁ガラスペーストに使用されるガラス粉末をラインナップしています。
要求される特性に適合したガラスを提供
焼成温度条件、導電回路形成条件、クロスオーバーコートの有無、耐電圧等要求電気特性を考慮のうえ、必要とされる膨張係数にマッチングするガラスの選択が可能です。
カスタマイズ対応が可能
電子材料用ガラス粉末については、着手時点でNHYのラインナップより選択のうえ、試作に着手。試作のステップに応じてカスタマイズに対応。
30年以上チップデバイス部品用ガラス粉末に携わってきた経験と、多様なガラス組成を熔融してきた実績で、カスタマイズによる最適化をお約束します。
◆使用状況に応じて、組成の調整、非意図的含有元素量の調整が可能です。
◆平均粒径をサブミクロンから数ミクロンに、粒度分布を含めてカスタマイズが可能です。
※ガラスペーストについては、試作用として提供が可能です。
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電子材料用ガラスフリット データシート
| ガラス 転移点 Tg(℃) |
ガラス 屈服点 Td(℃) |
ガラス 軟化点 Ts(℃) |
膨張係数 CTE α (×10-7) |
真比重 Specific Gravity |
主な組成 Main Composition |
主な用途成 Main Application |
|
| FBB-UW05 | 410.0 | 439.5 | 445.0 | 93.5 | 5.82 | SiO2-B2O3-RO- ZnO-Bi2O3 |
Ag電極 Varistor/Thermistor |
| 2280-09 | 368.0 | 394.5 | 405.0 | 111.5 | 6.31 | B2O3-ZnO-Bi2O3 | Ag電極 低抵抗/一般用 |
| 2280-12N | 372.0 | 394.5 | 410.0 | 108.0 | 6.36 | B2O3-ZnO-Bi2O3 | Ag電極 直半田用 |
| 2280-51 | 457.0 | 487.5 | 510.0 | 84.0 | 5.08 | B2O3-ZnO-Bi2O3 | Ag電極 ガラス基板用 |
| 2280-U31 | 405.5 | 429.0 | 445.0 | 99.5 | 6.84 | SiO2-ZnO-Bi2O3 | Al電極 |
| 2280-30 | 465.0 | 523.5 | 555.0 | 74.5 | 3.80 | SiO2-B2O3-Bi2O3 | Ag電極 結晶化ガラス |
| 2222-60-13 | 471.0 | 511.0 | 520.0 | 80.0 | 3.92 | SiO2-B2O3-R2O -Bi2O3-ZrO2 |
耐酸性良好 |
| 2403 | 552.0 | 586.0 | 600.0 | 58.5 | 4.38 | SiO2-Al2O3- B2O3-Bi2O3 |
Ag電極 Chip-Inductor |
| 2405 | 510.0 | 545.0 | 560.0 | 68.0 | 4.95 | SiO2-Al2O3- B2O3-Bi2O3 |
Ag電極 Chip-Inductor |
| 2419 | 478.5 | 508.0 | 520.0 | 75.0 | 5.30 | B2O3-ZnO-Bi2O3 | Ag電極 一般用 |
| 2595 | 500.5 | 549.5 | 570.0 | 57.0 | 4.00 | SiO2-Al2O3-B2O3-R2O-BaO | アルミナ系磁器の クロスオーバー |
| 4521 | 439.0 | 482.5 | 510.0 | 104.5 | 3.02 | SiO2-B2O3-R2O- RO-ZnO |
Ag電極 ホウ珪酸塩系 低融点 |
| 4850 | 506.5 | 546.0 | 570.0 | 95.5 | 3.88 | SiO2-Al2O3-B2O3- RO-ZnO |
MLCC 外部電極用 |
| 4822-24 | 566.0 | 596.5 | 620.0 | 80.5 | 3.85 | SiO2-Al2O3-B2O3- RO-ZnO |
MLCC 外部電極用 |
| FLET-17 | 724.0 | 794.0 | 820.0 | 52.5 | 3.09 | SiO2-Al2O3-RO-ZnO | ホウ素/ アルカリ金属 フリー |
| 4604 | 605.0 | 656.0 | 720.0 | 61.0 | 2.41 | SiO2-B2O3-CaO | Ag電極 Chip-R |
| 4621 | 612.0 | 678.0 | 760.0 | 58.5 | 2.40 | SiO2-B2O3-CaO | Ag電極 Chip-R |
| 4640 | 613.5 | 667.5 | 690.0 | 64.5 | 2.84 | SiO2-B2O3-RO-ZnO | アルミナ系磁器の クロスオーバー |
| FMG-61-6 | 613.0 | 669.0 | 690.0 | 85.0 | 3.34 | SiO2-B2O3-RO- TiO2-ZrO2 |
金属基板の 絶縁層形成 Forsterite 結晶化ガラス |